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通辽6ES73172AJ100AB0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-06-17 |
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通辽6ES73325HF004AB2
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-06-17 |
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通辽6ES73221HH014AA1
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-06-09 |
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佳木斯$6ES73177TK100AB0
品牌：国际整流器/IR型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2
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2019-06-06 |
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通辽6ES73317PF114AB2
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-05-31 |
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通辽6ES73387XF000AB0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-05-29 |
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通辽6ES73121AE130AB0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-05-22 |
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西门子 6ES71424BD000AB0 特价处理
品牌：Siemens/西门子型号：西门子 6ES71424BD000AB0 √特价处理控制原理：开环加工定制：否用途：汽车 工程量程：537精确度：120规格尺寸：12*18mm西门子 6AV63711DQ172CX0：15T-2 DP， 中央处理器针对 SPS 任务和 工艺任务 256 KByte 内存， 1 个 MPI/DP 12MBit/s 接口， 2个 DP 接口（驱动）, 工艺的集成 I/O 前连接器（
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2019-05-21 |
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