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通辽6ES73280AA007AA0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-05-13 |
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通辽6ES73141AG130AB0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-05-10 |
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通辽6ES73317NF100AB0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-05-01 |
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通辽6ES73152EH130AB0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-04-25 |
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西门子 6ES71511AA050AA1 诚信商家
品牌：Siemens/西门子型号：西门子 6ES71511AA050AA1 √诚信商家控制原理：开环加工定制：否用途：汽车 工程量程：537精确度：120规格尺寸：12*18mm西门子 6AV63711DQ172CX0：15T-2 DP， 中央处理器针对 SPS 任务和 工艺任务 256 KByte 内存， 1 个 MPI/DP 12MBit/s 接口， 2个 DP 接口（驱动）, 工艺的集成 I/O 前连接器（
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2019-04-20 |
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通辽6ES73521AH020AE0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-04-20 |
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通辽6ES73225GH000AB0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-03-30 |
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通辽西门子6ES7313-6BG04-0AB0代理商
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96通
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2019-03-25 |
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