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佳木斯$6ES73221BH100AA0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96详
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2019-01-15 |
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通辽6ES73287AA100AA0
品牌：其他型号：2材料：N-FET硅N沟道导电方式：增强型导电沟道：N沟道垂直导电结构：VDMOSFET用途：SW-REG/开关电源功率：中功率控制方式：脉冲频率调制（PFM）封装外形：SMDSO/表面封装加工定制：是极间电容：12pF开启电压：23V低频噪声系数：66dB最大漏极电流：161A最大散热功率：485W产品认证：是23：65256：2225：96详
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2019-01-01 |
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